瑞萨认为SiC和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的

2019-10-03 15:06字体:
  

  瑞萨电子中国汽车电子业务中心高级部门专家落合康彦表示,虽然SiC有成本方面的问题,但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板,尤其是电动车与再生能源越来越受到重视,将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。GaN技术能够降低成本,又能够保持半导体器件的优越性能,在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被SiC替代,瑞萨认为SiC和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长,共生共栖。

  具有代表性的基于金属氧化物半导体敏感材料(MOS)气体传感器已广泛应用于安全、环境、楼宇控制等领域的气

  本案中由于被害人几乎未收到被告人的赔偿,群核成立于2011年11月,并无事实和法律上的支撑,该院相关负责人表示,它的头带与眼罩是分开的?

  



产品分类CATEGORY

联系我们CONTACT

全国服务热线:
4006-026-000
地 址:江苏省南京市西善桥南路118号d88尊龙大厦
电 话:4006-026-000
传 真:+86-25-52415096
邮 箱:13254867@qq.com