我们还提供特定应用的参考设计

2019-07-12 22:32字体:
  

  据麦姆斯咨询报道,目前技术已多次证明GaN(氮化镓)在众多功率开关应用中具有取代Si(硅)的巨大潜力。正如Yole Developpement(以下简称YD)在《功率GaN:外延、器件、应用及技术趋势-2018版》中报道,即使GaN市场份额很小,但有信心看到GaN器件渗透到不同应用中,从与数据中心和包括快速充电器消费类相关的电源产品开始。在日益增长的功率GaN市场中,我们将在今年的访谈中具体讨论其最重要的技术趋势之一——“集成解决方案”。

  据悉,目前众多参与者已经开始构建集成解决方案,以抢占系统级成本优势。现在,我们观察到如纳微(Navitas)公司,已具备包括硅基驱动器和HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)的系统级封装解决方案,以及由驱动器、ESD保护和其它功能与HEMT单片集成的片上系统解决方案。事实上,片上系统解决方案对于终端用户来说非常具有吸引力,如果设计得当,此款产品将更易于使用,同时还能提高效率并减少连接损失。

  通过这项技术,Navitas则成为了片上系统解决方案的先驱,目前其产品GaNFast正在批量生产,初步面向快速充电器和旅行适配器等市场。2018年12月,中国知名充电品牌Anker正式推出了其使用Navitas公司GaNFast技术,可为手机和笔记本电脑充电的USB-C充电器。近日,YD很荣幸邀请到Navitas的首席执行官Gene Sheridan,讲述Navitas的GaN技术现状和未来几年的公司规划。

  此次采访由来自YD公司电力电子技术和市场分析师Ana Villamor博士、化合物半导体和新兴材料高级技术和市场分析师Hong Lin博士以及化合物半导体和新兴材料技术和市场分析师Ezgi Dogmus博士共同完成。

  Gene Sheridan(以下简称:GS):Navitas是世界上首家GaN功率IC公司,成立于2014年,由一支在功率半导体行业研发新技术和建立新业务方面都创造了众多辉煌记录的团队共同组建。

  Aukey移动电源采用Navitas的GaNFast技术,使充电速度提高三倍,尺寸和重量减轻一半

  GS:Navitas主要销售GaNFast功率IC。我们还提供特定应用的参考设计,展示我们在GaN 功率IC方面的显著系统优势,同时也为客户的下一代产品设计提供了良好的起点。

  GS:Navitas发明了世界上第一款将功率、模拟和逻辑电路单片集成在GaN上的GaN功率IC。鉴于GaN在处理高压和高电流方面优于硅的固有优势,同时还具有极高的开关速度和效率,这种高度集成可使电力系统实现前所未有的功率密度并节能,同时还能降低BOM(Bill of materials,物料清单)系统成本。

  GS:已发布的所有产品均符合JEDEC标准及更高标准,并大批量生产。目前我们的客户已大量生产24W、27W、30W、45W USB-PD以及其它产品,大家可以在亚马逊或其它网点购买。

  

  YD:Navitas公司是GaN功率IC的先驱,引领当前的技术趋势。您是如何看待单片集成和Si+GaN集成解决方案的?

  GS:GaN是集成所有功率和混合信号电路的首选技术,涉及高电压或高功率,器件之间的寄生元件也至关重要。而硅最适合低压、低功率电路,如MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)、DSP(Digital Signal Processing,数字信号处理)或某些ASIC(Application Specific Integrated Circuits,专用集成电路)控制器等。因此,这里有一种自然而然同时也令人信服的划分,可将硅作为功率系统的低压、基于逻辑的系统控制器,同时将GaN用于整个高压功率系统,包括驱动器、电平转换器、隔离器、自举电路、启动电路、电压调节器、保护和感测电路以及所有功率器件等。

  YD:快速充电器和旅行适配器是Navitas的主要目标市场吗?或者说,贵公司的目标是将GaNFast IC引入到其他市场?如果是,会是什么市场?

  GS:我们最初的目标市场的确是快速充电器和旅行适配器,但目前我们正在拓展到更高功率的市场,包括LED照明、企业设备、太阳能逆变器、电动汽车(EV)和能量储存等领域。

  YD:根据某些中国网站报道,中国充电品牌Anker在2018年3月投资了Navitas公司。是否能透露更多关于此次合作和未来前景的信息吗?

  GS:我们不会透露或评论谁是或不是我们的战略投资者,但是我们可以说Anker是Navitas的优秀客户和合作伙伴,是快速充电器和旅行适配器领域领先的高端品牌之一。

  YD:封装是影响GaN器件性能的关键因素之一,您对GaN器件的封装方式有什么看法?

  GS:目前,我们采用的是普遍的QFN(Quad Flat No-leadPackage,方形扁平无引脚封装)表面贴装封装技术,可提供GaN功率IC所需的更高I/O(Input/Output,输入/输出)引脚数,同时实现高密度覆盖、良好的热性能、低寄生效应和低成本。随着我们向更高功率市场的扩展,我们将把QFN技术扩展到更大、更低的RDS设备,以及新的封装技术中。

  GS:嵌入式封装既具有优势,也存在一些问题。多层铜互连在布线、协同封装和热管理方面具有一定的灵活性。与QFN相比,嵌入式封装还处于早期阶段,并且成本相对较高。未来还需要精心设计和使用,以避免与压力相关的问题和随环境恶化的失效问题。

  GS:除了扩展上述的市场和封装之外,我们的客户有望在未来五年内看到Navitas的GaN功率IC实现更高水平的电路集成、更高的开关频率和更高的能效。虽然我们现有的GaN功率IC技术已经提供了前所未有的集成度和性能水平,但这只是我们的初期产品,未来还有更多迭代产品,敬请期待。



产品分类CATEGORY

联系我们CONTACT

全国服务热线:
4006-026-000
地 址:江苏省南京市西善桥南路118号d88尊龙大厦
电 话:4006-026-000
传 真:+86-25-52415096
邮 箱:13254867@qq.com