IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 结温(符

2019-05-06 04:41字体:
  

  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 集电极、发射极间电压(符号:VCES):栅极、发射极间短路时的集电极,发射极间的最大电压。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 栅极发极间电压(符号:VGES ):集电极、发射极间短路时的栅极,发射极间最大电压。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 集电极电流(符号:IC ):集电极所允许的最大直流电流。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 耗散功率(符号:PC):单个IGBT所允许的最大耗散功率。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 结温(符号:Tj):元件连续工作时芯片温厦。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 关断电流(符号:ICES ):栅极、发射极间短路,在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 漏电流(符号:IGES ):集电极、发射极间短路,在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。

  IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 饱和压降(符号:V CE(sat) ):在指定的集电极电流和栅极电压的情况下,集电极、发射极间的电压。



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